| 一种消除SnBi焊料与铜基连接的界面脆性方法 |
| 邹鹤飞, 张青科 and 张哲峰
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| 2011-03-23
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2011-03-23
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明属于微电子互连的无铅封装领域,具体为一种利用铜合金消除SnBi/Cu连接偶的界面脆性方法,解决SnBi焊料与Cu基底连接的脆性问题。本发明采用向铜基底中加入少量的合金元素,用以消除SnBi焊料与铜基连接的界面脆性,能够提高SnBi焊料的连接强度。这种封装基底合金化的方法改变了传统的纯铜基底,防止纯铜与SnBi焊料连接在使用过程中,由于高温时效产生界面Bi偏聚导致的界面脆性。通过向铜基底中加入极少量的第二合金元素抑制界面Bi的偏聚,从而改善SnBi焊料在微电子封装时的时效可靠性,获取焊点的连接强度受时效时间的影响较小,同时为推广SnBi等无铅焊料的工业化应用提供了一种理想的思路。 |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN101987400A
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67643
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
邹鹤飞, 张青科 and 张哲峰. 一种消除SnBi焊料与铜基连接的界面脆性方法[P]. 2011-03-23.
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