| 一种氧化铝弥散强化铜引线框架材料及制备方法 | |
| 闵家源 | |
| 2005-06-15 | |
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
| 公开日期 | 2005-06-15 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 本发明涉及微电子封装用金属材料,具体公开一种氧化铝弥散强化铜引线框架铜合金材料及制备方法。在铜粉合金中添加重量百分比为0.2～0.3的铬粉及1～3的氧化铝粉,充分混合后球磨,并在氢气环境中进行还原处理,再冷压成型、烧结、挤压,最后进行热处理使合金获得弥散强化和沉淀强化的双重强化效果,从而获得高强高导铜合金。采用本发明进一步提高了氧化铝弥散强化铜引线框架材料的抗拉强度,适用于集成电路或大规模集成电路。 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN1626691 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67680 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 闵家源. 一种氧化铝弥散强化铜引线框架材料及制备方法[P]. 2005-06-15. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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