| 一种氧化石墨烯还原制备石墨烯材料的方法 |
| 杜金红, 裴嵩峰, 赵金平, 任文才 and 成会明
|
| 2011-12-14
|
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
|
| 公开日期 | 2011-12-14
|
| 授权国家 | 中国
|
| 专利类型 | 发明专利
|
| 摘要 | 本发明涉及石墨烯材料领域,具体为一种新的氧化石墨烯(GrapheneOxide,GO)还原制备石墨烯材料的方法,适用于各种基于氧化石墨烯的粉体和薄膜材料的还原。将氧化石墨烯制品在以氢碘酸、氢溴酸和氯化亚砜等为代表的卤化试剂中、-5到140℃的温度范围内浸泡10秒～24小时,取出干燥后即可完成对氧化石墨烯材料的还原,还原后得到的石墨烯材料具有优异的导电性并可保持薄膜制品的柔韧性。本发明方法简单、易控,可实现氧化石墨烯材料的低温、高效、大量、低成本还原,解决现有技术中存在的环境污染、成本高等问题。 |
| 语种 | 中文
|
| 专利状态 | 公开
|
| 申请号 | CN102275902A
|
| 文献类型 | 专利
|
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67683
|
| 专题 | 中国科学院金属研究所
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
杜金红, 裴嵩峰, 赵金平, 任文才 and 成会明. 一种氧化石墨烯还原制备石墨烯材料的方法[P]. 2011-12-14.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论