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一种用于薄膜非接触热膨胀测量的低温装置
王宝全, 陈新贵, 何冠虎 and 郭敬东
2009-01-28
专利权人中国科学院金属研究所
公开日期2009-01-28
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要本实用新型涉及用于薄膜非接触热膨胀测量技术,具体为一种用于薄膜非接 触热膨胀测量的低能耗低温装置(-130℃~250℃)。该装置设有低温-高温炉系统、 试样架系统,低温-高温炉系统采用两级真空双层结构,置于低温-高温炉系统中 的加热器采用锥型-沟槽型结构,置于加热器中的试样架系统采用弹性夹持结构。 本实用新型用非接触方法测量薄膜热膨胀的低能耗,将温度范围扩展到低温,低 温装置在1.5小时内使试样降低到-130℃,耗用液氮5升。
语种中文
专利状态公开
申请号CN201188091
文献类型专利
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67740
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
王宝全, 陈新贵, 何冠虎 and 郭敬东. 一种用于薄膜非接触热膨胀测量的低温装置[P]. 2009-01-28.
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