| 一种原位反应热压合成TaC-SiC陶瓷复合材料及其合成方法 |
| 周延春, 胡春峰, 何灵峰 and 包亦望
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| 2009-04-29
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2009-04-29
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明涉及陶瓷基复合材料及合成方法,具体为一种原位反应热压合成 TaC-SiC陶瓷复合材料及其合成方法,以解决TaC的抗氧化性能不理想,在氧化 气氛中很容易形成疏松的表面氧化层等问题。TaC和SiC两种成分相被原位生成, SiC的百分含量为0～50vol.％。具体合成方法是：以钽粉、硅粉和石墨粉为原料, 在树脂罐中干燥条件下球磨10～40小时,过筛后装入石墨模具中冷压成型(5～20 MPa),在真空或通有氩气的热压炉内烧结,烧结温度为1950～2150℃、保温烧 结时间为1～2小时、烧结压强为30～40MPa。本发明可以原位反应合成TaC-SiC... |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN101417878
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67790
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
周延春, 胡春峰, 何灵峰 and 包亦望. 一种原位反应热压合成TaC-SiC陶瓷复合材料及其合成方法[P]. 2009-04-29.
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