| 一种原位反应热压合成V2AlC块体陶瓷及其制备方法 |
| 周延春, 胡春峰 and 包亦望
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| 2009-07-22
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专利权人 | 中国科学院金属研究所
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公开日期 | 2009-07-22
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授权国家 | 中国
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专利类型 | 发明专利
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摘要 | 本发明涉及单相块体陶瓷及制备方法,具体为一种原位反应热压合成V2AlC 块体陶瓷及其制备方法。本发明V2AlC块体陶瓷由单相V2AlC组成,通过原位 反应热压技术所制备的单相V2AlC相对密度为98~99%,所制备样品中平均晶粒 尺寸长度范围为49~405μm,宽度范围为19~106μm。以钒粉、铝粉和石墨粉 为原料,干燥条件下在树脂罐中球磨12~24小时,过筛后装入石墨模具中冷压成 型,在真空或通有氩气的热压炉内烧结,升温速率为10~15℃/分钟,烧结温度 ... |
语种 | 中文
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专利状态 | 公开
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申请号 | CN101486576
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文献类型 | 专利
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条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67793
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专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
周延春, 胡春峰 and 包亦望. 一种原位反应热压合成V2AlC块体陶瓷及其制备方法[P]. 2009-07-22.
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