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一种原位反应热压合成V2AlC块体陶瓷及其制备方法
周延春, 胡春峰 and 包亦望
2009-07-22
专利权人中国科学院金属研究所
公开日期2009-07-22
授权国家中国
专利类型发明专利
摘要本发明涉及单相块体陶瓷及制备方法,具体为一种原位反应热压合成V2AlC 块体陶瓷及其制备方法。本发明V2AlC块体陶瓷由单相V2AlC组成,通过原位 反应热压技术所制备的单相V2AlC相对密度为98~99%,所制备样品中平均晶粒 尺寸长度范围为49~405μm,宽度范围为19~106μm。以钒粉、铝粉和石墨粉 为原料,干燥条件下在树脂罐中球磨12~24小时,过筛后装入石墨模具中冷压成 型,在真空或通有氩气的热压炉内烧结,升温速率为10~15℃/分钟,烧结温度 ...
语种中文
专利状态公开
申请号CN101486576
文献类型专利
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67793
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
周延春, 胡春峰 and 包亦望. 一种原位反应热压合成V2AlC块体陶瓷及其制备方法[P]. 2009-07-22.
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