| 一种在钛碳化硅材料表面制备硅化物涂层的方法 |
| 张亚明, 李美栓, 刘光明 and 周延春
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| 2002-11-13
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2002-11-13
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明属于表面工程技术,具体是一种在钛碳化硅(Ti3SiC2)材料表面制备硅化物涂层的方法,渗料由硅粉、氧化铝粉、氟硅酸钾、氟化钠固体粉末混合物组成,Ti3SiC2材料用渗料包埋后在1000～1200℃保温2～8小时进行热扩散处理。所获得的涂层由二硅化钛(TiSi2)和碳化硅(SiC)两相组成,厚度为10～60微米。涂层在1000～1200℃空气中氧化后主要形成SiO2膜,恒温氧化的抛物线速度常数相比Ti3SiC2材料降... |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN1379000
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67827
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张亚明, 李美栓, 刘光明 and 周延春. 一种在钛碳化硅材料表面制备硅化物涂层的方法[P]. 2002-11-13.
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