| 一种制备阳离子掺杂氧化钛纳米管阵列的方法 | |
| 成会明, 刘岗, 李峰, 刘敏 and 逯高清 | |
| 2008-06-25 | |
| Rights Holder | 中国科学院金属研究所 |
| Date Available | 2008-06-25 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明专利 |
| Abstract | 本发明是关于阳离子掺杂氧化钛纳米管阵列的制备技术,具体为通过电化学 阳极氧化过程,在钛合金基体上实现了原位获得具有很高光催化活性的阳离子掺 杂氧化钛纳米管阵列的方法,得到了原子尺度上的掺杂氧化钛纳米管。本发明通 过熔炼过程得到成份均匀钛合金,并以其为基体进行阳极氧化过程,来得到具有 一种或多种阳离子均匀掺杂的氧化钛纳米管阵列；通过调节熔炼过程合金的种类, 可实现不同元素的阳离子掺杂,通过控制合金元素含量,可实现掺杂量的可控和 原子尺度掺杂的氧化钛纳米管,也实现了对氧化钛纳米管的管径和电子结构调控, 从而可进一步提高氧化钛纳米管在光催化反应... |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN101204649 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67878 |
| Collection | 中国科学院金属研究所 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 成会明, 刘岗, 李峰, 刘敏 and 逯高清. 一种制备阳离子掺杂氧化钛纳米管阵列的方法[P]. 2008-06-25. |
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