| 制备低维氮化铝纳米材料的方法 | |
| 贺连龙, 李志杰, 沈志奇 and 王福 | |
| 2005-12-07 | |
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
| 公开日期 | 2005-12-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 本发明涉及半导体纳米材料,具体地说是一种低维氮化铝纳米材料的 制备方法。它以金属铝为原材料作为阳极,以金属钨作为阴极,在氢气和 氮气的混合条件下,采用直流电弧等离子体技术进行,其工艺参数为：H2∶ N2在体积值比为0.2～1.5条件下,控制总压力在6000～95000Pa范围内,电 弧电流为150～300A,气体流量为5～15l/s,点弧时间为0.5小时～6小时。本 发明具有纯度高、时间短、操作简单特点。 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN1704330 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67994 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贺连龙, 李志杰, 沈志奇 and 王福. 制备低维氮化铝纳米材料的方法[P]. 2005-12-07. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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