| 贮氢合金的还原处理 | |
| 花均社, 胡壮麒, 张海峰, 侯万良 and 孙文声 | |
| 2000-07-05 | |
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
| 公开日期 | 2000-07-05 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 一种贮氢合金的还原处理,适用于快速凝固贮氢合金和其他方法制备的贮氢合金,其特征在于：将待处理合金粉放入1～10倍水中,向其中加入次亚磷酸钠溶液,合金粉与次亚磷酸钠的重量比为1∶0．5～1∶15,同时进行搅拌,处理温度：20～60℃,处理时间：3～48小时。本发明可以迅速有效地提高贮氢合金的初期电化学活性。 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN1258936 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/68010 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 花均社, 胡壮麒, 张海峰, 侯万良 and 孙文声. 贮氢合金的还原处理[P]. 2000-07-05. |
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