| 一种单分子纳米铈离子改性介孔氧化硅材料合成方法 | |
| 张劲松 梁艳 张军旗 | |
| 2006-09-06 | |
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
| 公开日期 | 2013-06-19 |
| 授权国家 | 中国 |
| 语种 | 中文 |
| 申请号 | 200310119099.9 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/68167 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张劲松 梁艳 张军旗. 一种单分子纳米铈离子改性介孔氧化硅材料合成方法[P]. 2006-09-06. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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