| 氮化镓半导体中扩展缺陷的电子性质研究 | |
| 王绍青; 程大勇; 张林; 卞寿亮 | |
| 2004 | |
| 关键词 | 氮化镓半导体 缺陷 电子性质 |
| 完成单位 | 中国科学院金属研究所; |
| 英文摘要 | 该项目研究采用分子动力学方法通过计算模拟获得了六角GaN薄膜中扩展缺陷的准确原子构型。通过第一原理密度泛函计算研究了氮化镓及其相关Ⅲ～Ⅴ族化合物的力学性质、能带结构和压电效应。氮化镓具有很高的击穿场强，很高的热导率和非常好的物理、化学稳定性，是一种具有广泛应用前景的新型光电半导体材料。 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 成果 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/68531 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王绍青,程大勇,张林,等. 氮化镓半导体中扩展缺陷的电子性质研究. 2004. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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