| 激光法制备千克级纳米超细Si<,3>N<,4>粉技术及装置 |
| 中国科学院金属研究所
|
| 1992
|
| 关键词 | 吸波材料
抛光磨料
超细
Sin4粉
|
| 完成单位 | 中国科学院金属研究所;
|
| 英文摘要 | 该成果研究成功了激光法日产千克级纳米超细Ｓｉ＜，３＞Ｎ＜，４＞粉技术及装置，制出粒径为８～５０ｎｍ，主相Ｓｉ＜，３＞Ｎ＜，４＞含量大于９８ｗｔ％，氧为１．０７ｗｔ％的粉体，产率达３０～５０克／小时，粉体各项性能指标均达到国际８０年代末的最佳水平；研究出控制粉体化学成分及表征特性的规律，并在技术上实现了自动控制；研究出取储隔氧装瓶和粉体分散技术，在国内首先研究出无氯廉价硅源，并已将该粉开发应用为超精抛光磨料、吸波材料等。该项成果已取得了突破性的研究进展，处于国内领先地位，达到８０年代末国际先进水平。纳米ＳｉＮ＜，４＞粉已用于超硬材料（如宝石）、超精抛光磨料（Ｗ０．０２）、红外和雷达吸波材料中，并为结构陶瓷提供了理想的原料和添加剂。此外，利用该技术和装置还研制出纳米ＳｉＣ、Ｂ＜，４＞Ｃ、ＴｉＳｉ＜，２＞等多种超细粉。 |
| 语种 | 中文
|
| 文献类型 | 成果
|
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/68711
|
| 专题 | 中国科学院金属研究所
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
中国科学院金属研究所. 激光法制备千克级纳米超细Si<,3>N<,4>粉技术及装置. 1992.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论