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金属化电容器用真空镀铝新材料
韩耀文; 李国华
1985
关键词电工材料 真空镀铝膜 金属化云母电容器 材料 电容器 真空镀铝材料 金属化电容器
完成单位中国科学院金属研究所;阜新市电子元件厂
英文摘要该成果针对金属化电容器对铝膜的要求,在实验室系统研究成功的基础上,采用先进的真空镀膜设备进行了扩大试验和多批次试生产,研制成功真空镀铝新工艺,生产出高质量的金属化电容器用真空镀铝膜新材料。用以制成金属化电容器,深受用户工厂欢迎,证明研制的铝膜质量达到国际先进水平,在国内领先。利用研制的工艺和国产材料蒸镀生产的铝膜材料针孔数≤1/m,无折皱、划伤、漏镀、翘曲、变形等缺陷,屏蔽线偏移≤0.5m/m,反射率高达80-90%,其厚度偏差为2-3±0.7Ω/口。这些技术指标均达到日本JIS技术标准。这项研制成果用于阜新电子元件厂及宁波电容器厂,正式投产二年。每纯铝膜产品纯利税约为2-3万元/吨,年产180吨。成果扩大应用于十馀工厂。
语种中文
文献类型成果
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/68740
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
韩耀文,李国华. 金属化电容器用真空镀铝新材料. 1985.
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