| 热解氮化硼大口径坩埚及其在半导体工业中的应用 | |
| 赵凤鸣; 何宏家; 夏德谦; 王勇; 刘同顺; 曹福年; 陈宏毅; 梁宗俊; 姜维新; 朱自明; 李伟; 谢自力; 程其祥; 隆雅琴; 陈宏亮 | |
| 1992 | |
| 关键词 | 大尺度 砷化镓 单晶制备 生产工艺 坩埚 氮化硼陶瓷 高温陶瓷 |
| 完成单位 | 中国科学院金属研究所;机电部第五十五研究所 |
| 英文摘要 | 该项成果采用中频感应炉加热气相沉积新工艺，研制出φ４″和５″的热解氮化硼（ＰＢＮ）大口径坩埚，并在单晶炉内合成了国家急需研制的ＧａＡｓ单晶，显著提高了半绝缘ＧａＡｓ单晶质量，促进了我国ＧａＡｓ超高速数字集成电路、微波单片集成电路、ＧａＡｓ低噪音和功率场效应器件的发展，具有重大的社会效益和经济效益。该坩埚纯度高，厚度均匀，使用寿命长，重复性好。用此坩埚生长出热稳定性好和均匀的不掺杂ＳＩ—ＧａＡｓ单晶，并创造了一整套拉晶控制技术。该产品填补了国内空白，打破了西方对我国的封锁。 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 成果 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/68919 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵凤鸣,何宏家,夏德谦,等. 热解氮化硼大口径坩埚及其在半导体工业中的应用. 1992. |
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