| 热解石墨涂层外延基座 | |
| 赵凤鸣; 姜维新; 王勇; 刘玉环 | |
| 1985 | |
| 关键词 | 外延片 气相外延 石墨 外延基座 涂层 热解石墨 |
| 完成单位 | 中国科学院金属研究所; |
| 英文摘要 | 该项成果用于硅气相外延，制备高质量的外延片。热解石墨外延基座的主要技术指标如下：电性能好，如金属一样的导电，适于感应加热，“α”向电阻率２０μΩ·ｃｍ，“ｃ”向电阻率１０００００μΩ·ｃｍ；在基座的表面方向上有近于金属的导热性良好的抗热震性；气密性好，化学稳定性高；纯度高，杂质含量在ｐｐｍ数量级。该项成果若在全国推广，经济效益很大。 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 成果 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/68920 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵凤鸣,姜维新,王勇,等. 热解石墨涂层外延基座. 1985. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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