| 熔体直接发泡制备泡沫镁的方法 |
| 中国科学院金属研究所
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| 2008
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| 关键词 | 泡沫镁
熔体直接发泡
碳化硅
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| 完成单位 | 中国科学院金属研究所;
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| 英文摘要 | 本发明属于金属材料和功能材料及材料加工领域，特别涉及一种熔体直接发泡制备泡沫镁的方法，包括原料熔化、加发泡剂搅拌、发泡、切割成型等工艺步骤。本发明按一定比例制得镁合金，将镁合金加热至700～730℃温度下熔化，加入占镁合金质量5～30％的碳化硅颗粒，然后降至550℃～650℃的温度，再加入占镁合金和碳化硅总质量2～20％的碳酸镁粉，碳酸镁粉高速搅拌时间为1～10分钟，发泡温度为550℃～650℃，发泡结束后移出发泡炉，冷却降温，切割成材。本发明工艺条件稳定，操作控制准确，制出的泡沫镁产品孔径均匀，可生产不同密度，不同孔径的泡沫镁产品。本发明制造泡沫镁成本低并且工艺简单，适合于较大规模工业生产。200510047728.0 |
| 语种 | 中文
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| 文献类型 | 成果
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/68932
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
中国科学院金属研究所. 熔体直接发泡制备泡沫镁的方法. 2008.
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