| 一种磁控管溅射装置 | |
| 中国科学院金属研究所 | |
| 2008 | |
| 关键词 | 真空镀膜 磁控溅射 靶材 |
| 完成单位 | 中国科学院金属研究所; |
| 英文摘要 | 本实用新型涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术，更具体地，涉及一种在真空溅射镀膜时使用的溅射装置，包括：磁控管和电磁线圈，彼此同轴相对放置，其中电磁线圈可以沿着磁控管中心轴线远近移动。通过控制电磁线圈的电流大小及方向，和改变电磁线圈与磁控管的相对位置，可以方便有效地改变磁控管和基片区域的磁场位形分布，改变基片区域的等离子体密度。此外当电磁线圈通以低频交流电时，靶材表面的刻蚀跑道变宽，刻蚀更均匀，可以简单有效地提高靶材利用率，同时可以改善沉积薄膜的厚度和性能在空间上的不均匀。本实用新型具有结构简单、方便、易操作等特点。 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 成果 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/69082 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中国科学院金属研究所. 一种磁控管溅射装置. 2008. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [中国科学院金属研究所]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [中国科学院金属研究所]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [中国科学院金属研究所]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论