| 一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网络的方法 | |
| 从洪涛; 唐永炳; 成会明 | |
| 2010 | |
| 关键词 | 氧化硅薄膜 外延定向生长 纳米片网格结构 |
| 完成单位 | 中国科学院金属研究所; |
| 英文摘要 | 一种刻蚀基板法外延定向生长AlN纳米片网格的方法，采用刻蚀Si基板和反应物气相蒸发法制备垂直排列的AlN纳米片蜂窝状网格，首先用含1-5%的氢氟酸或盐酸腐蚀液刻蚀Si片1-20min，然后去除表面的氧化硅薄膜，用Al+AlCl3作反应物放置在真空CVD炉的恒温区，刻蚀后的Si片作沉积基板放在出气端，用蒸发法制备出具有蜂窝状网格形状的AlN纳米片。这种Si基板自生模板，与常规氧化铝多孔模板相比，可避免外加模板的杂质污染和清除模板时对所生长纳米结构的破坏。又因为Si基板表面的刻蚀沟槽是连通的，所以这种刻蚀基板法更适合外延定向生长纳米片网格结构。 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 成果 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/69167 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 从洪涛,唐永炳,成会明. 一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网络的方法. 2010. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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