| 一种铜膜的制备方法 | |
| 卢磊; 斯晓; 陶乃熔; 隋曼龄; 卢柯 | |
| 2005 | |
| 关键词 | 铜膜制备 薄膜厚度 纳米材料 晶粒尺寸 |
| 完成单位 | 中国科学院金属研究所; |
| 英文摘要 | 内容简介：以晶粒尺寸小于100nm的纳米Cu为原材料，纯度高于9.995％wt％，密度为8.91±.03g/cm<'3>， 在室温冷轧，变形速率：1×10<'-5>-1×10<'-1>/s。该发明制备出的铜膜表面质量好，可以达到很薄膜的厚度，并且工艺简单，使用普通的轧制设备即可实现。申请国家专利二项，其中发明专利一项，实用型专利一项。 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 成果 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/69238 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卢磊,斯晓,陶乃熔,等. 一种铜膜的制备方法. 2005. |
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