| 在钛碳化硅材料表面制备硅化物涂层 | |
| 中国科学院金属研究所 | |
| 2003 | |
| 关键词 | 钛碳化硅材料 硅化物涂层 金属表面保护 |
| 完成单位 | 中国科学院金属研究所; |
| 英文摘要 | 该发明专利是一种在钛碳化硅(Ti<,3>SiC<,2>材料表面制备硅化物涂层的方法，属于表面工程技术。渗料由硅粉、氧化铝粉、氟硅酸钾、氟化钠固体粉末混合物组成，厚度为10～60微米。涂层在1000～1200℃空气中氧化后主要形成SiO<,2>膜，恒温氧化的抛物线速度常数相比Ti<,3>SiC<,2>材料降低了2～3个数量级。该专利使得Ti<,3>SiC<,2>材料可以应用于高温腐蚀性环境中。 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 成果 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/69298 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中国科学院金属研究所. 在钛碳化硅材料表面制备硅化物涂层. 2003. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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