| 制备单壁纳米碳管的方法 |
| 中国科学院金属研究所
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| 2001
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| 关键词 | 单壁纳米碳管
生产工艺
高纯度
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| 完成单位 | 中国科学院金属研究所;
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| 英文摘要 | 这种制备单壁纳米碳管的方法采用碳源与催化剂在气态下充分混合匀速输入反应区的方法，生成单壁纳米碳管。其中碳源为低溶点的水分子碳氢化合物，碳原子数小于10。稀释气体为氢气、氩气、氮气、碳源与稀释气体的摩尔比在0.5-5范围内。催化剂为铁、铂、镍的金属有机化合物，催化剂与碳源的摩尔比1/20-1/10。当催化剂为铁、钴类时，导入碳源的温度为400-500℃，最终反应温度为1050-1250℃，所用升温速度为20-30℃/min，保温0.5-2小时。当催化剂为镍时，导入碳源的温度为250-350℃，最终反应温度为600-800℃，所用升温速率为20-30℃/min，保温0.5-2小时。该发明可以大量生成高纯度高质量的单壁纳米碳管。 |
| 语种 | 中文
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| 文献类型 | 成果
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/69308
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
中国科学院金属研究所. 制备单壁纳米碳管的方法. 2001.
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