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IMR OpenIR  > 中国科学院金属研究所  > 会议论文

题名: C-SiC共沉积基体氧化行为研究
作者: 邓景屹;  刘文川;  杜海峰
出版日期: 1998-9-9
会议日期: 1998-09-09
摘要: 该研究比较了C-SiC梯度基复合材料和C/C复合材料的氧化行为。实验结果表明SiC通过占据表面活性点提高了共沉积基体的氧化起始温度;由于减少了碳与氧的接触面积,阻挡氧化凹坑的扩展,降低了材料的氧化失重速率。利用SEM观察了梯度基复合材料微观氧化过程。
会议名称: 第17届炭-石墨材料学术会议
KOS主题词: composite material;  Composite;  Composite materials
会议文集: 第17届炭--石墨材料学术会论文集
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邓景屹,刘文川,杜海峰. C-sic共沉积基体氧化行为研究[C]. 第17届炭--石墨材料学术会论文集.北京.中国电工技术学会.1998.
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