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IMR OpenIR  > 中国科学院金属研究所  > 会议论文

题名: 直流反应溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜
作者: 陆峰;  徐成海;  裴志亮;  闻立时
出版日期: 2001-10-16
会议日期: 2001-10-16
摘要: 本文对直流磁控反应溅射法制备ZnO:Al薄膜的工艺作了具体分析,探讨了氧分压、Al含量、溅射功率和靶基距等对ZnO:Al薄膜的电学、光学性能的影响.
会议名称: 中国真空学会五届三次理事会暨学术会议
会议文集: 《真空科学与技术》/Vol.22 2002增刊
Appears in Collections:中国科学院金属研究所_会议论文

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陆峰,徐成海,裴志亮,等. 直流反应溅射制备zno:al透明导电薄膜[C]. 《真空科学与技术》/vol.22 2002增刊.北京.《真空科学与技术》杂志社.2001.
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