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题名: 用双探头正电子湮没辐射多普勒展宽装置研究金属中高动量电子的行为
作者: 邓文;  中国科学院国际材料物理中心(沈阳);  黄宇阳;  吴道宏;  罗里熊;  熊良钺;  中国科学院国际材料物理中心(沈阳)
出版日期: 2002-6-1
会议日期: 2002-06-01
摘要: 采用双探头符合技术,可大幅度地降低正电子湮没辐射多普勒展宽谱的本底,谱线的本底跟样品与高纯锗探头之间的距离有关:增加距离,可以降低谱线的本底,谱线的本底越低,以单晶Al为参考作出的Ni的商谱越高.元素周期表中第四行过渡元素Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu的商谱的谱峰随原子的3d电子数目的增多而升高,从过渡元素的商谱可获得正电子与原子的3d和3p电子湮没的信息.
会议名称: 第八届全国正电子谱学会议
KOS主题词: BACKGROUND;  crystal defect, lattice defect
会议文集: 第八届全国正电子谱学会议论文集
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邓文,中国科学院国际材料物理中心(沈阳),黄宇阳,等. 用双探头正电子湮没辐射多普勒展宽装置研究金属中高动量电子的行为[C]. 第八届全国正电子谱学会议论文集.北京.中国物理学会.2002.
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