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IMR OpenIR  > 中国科学院金属研究所  > 会议论文

题名: 循环形变单晶体驻留滑移带的演化
作者: 杨继红;  李守新;  李勇;  柯伟
出版日期: 2002-10-14
会议日期: 2002-10-14
摘要: 采用三维离散位错静力学方法,利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术对单滑移取向疲劳Cu单晶驻留滑移带(PSBs)形成位错结构的演化进行观察的结果,对这个演化过程中典型的位错结构进行了模拟计算,给出了PSBs演化过程中典型位错结构内应力场的分布鞋.由计算机模拟和对内应力场的计算分析对PSBs演化给出了一个新的可能的演化机制.
会议名称: 第十一届全国疲劳和断裂学术会议
KOS主题词: Digital computer simulation;  fatigue damage
会议文集: 疲劳、断裂、工程设计(2002)
Appears in Collections:中国科学院金属研究所_会议论文

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杨继红,李守新,李勇,等. 循环形变单晶体驻留滑移带的演化[C]. 疲劳、断裂、工程设计(2002).北京.机械工业出版社.2002.
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