| 第一原理研究空位和Si与Al的∑5(210)[001]晶界的相互作用 | |
| 程大勇; 王绍青; 叶恒强 | |
| 2002-10-01 | |
| 会议名称 | 2002年中国材料研讨会 |
| 会议录名称 | 2002年材料科学与工程新进展 |
| 会议日期 | 2002-10-01 |
| 会议地点 | 北京 |
| 出版地 | 北京 |
| 出版者 | 冶金工业出版社 |
| 摘要 | 在密度泛函理论框架下,用第一原理赝势方法,在Rice-Wang模型下研究了空位和杂质元素Si与Al的∑5(210)[001]晶界的相互作用.通过计算给出了偏析元素Si在晶界面上的位置.通过对含有空位的晶界模型计算给出了空位的稳定位置.同时通过对偏析元素在界面和表面的偏聚能ΔE<,gb>和ΔE<,s>的计算,表明偏析元素Si对于Al∑5(210)[001]的晶界是一种直接致脆元素. |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室(沈阳) |
| 关键词 | Al 晶界 第一原理 Si 空位 杂质元素 材料缺陷 |
| 主办者 | 中国材料研究学会 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70021 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程大勇,王绍青,叶恒强. 第一原理研究空位和Si与Al的∑5(210)[001]晶界的相互作用[C]. 北京:冶金工业出版社,2002. |
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