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IMR OpenIR  > 中国科学院金属研究所  > 会议论文

题名: 斜入射对物理气相沉积铜膜结构的影响
作者: 周耐根;  周浪;  朱圣龙
出版日期: 2002-10-1
会议日期: 2002-10-01
摘要: 运用分子动力学方法建立了溅射沉积铜薄膜外延生长的三维模型,铜原子间作用势函数采用Finnis-Sinclair型原子镶嵌法(EAM)势函数;沉积原子入射角分布采用一般金属溅射中常见的余弦分布,就入射角对薄膜结构的影响进行了模拟实验研究.结果表明:斜入射的引入都使薄膜沉积相对于简单垂直入射时表面粗糙度增大,同时堆垛密度减小,且两种入射条件下堆垛密度都随沉积层高度增加而减小,反映出典型的原子自阴影效应作用的结果;斜入射的引入还使膜内空位和孪晶缺陷增多.对斜入射和垂直入射沉积的单原子的动能、势能及其轨迹进行了跟踪分析和比较,并结合上述结果进行了讨论.
会议名称: 2002年中国材料研讨会
KOS主题词: incident angle
会议文集: 2002年材料科学与工程新进展
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周耐根,周浪,朱圣龙. 斜入射对物理气相沉积铜膜结构的影响[C]. 2002年材料科学与工程新进展.北京.冶金工业出版社.2002.
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