电子背散射衍射技术对疲劳铜单晶中的不同位错结构的取向变化的分析

IMR OpenIR

	电子背散射衍射技术对疲劳铜单晶中的不同位错结构的取向变化的分析
	李勇; 高薇; 苏会和; 李守新
	2003-11-02
会议名称	第二届全国扫描电子显微学会议
会议录名称	电子显微学报2003第22卷第6期
会议日期	2003-11-02
会议地点	珠海
出版地	北京
出版者	电子显微学报编辑部
摘要	本文应用电子背散射衍射和扫描电镜技术对疲劳铜单晶中的最典型的位错结构,即沿[110]方向排列的错墙结构与基本位错组态之间的取向差进行分析.
部门归属	中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家实验室(辽宁沈阳)
关键词	铜单晶位错结构电子背散射衍射取向差
主办者	中国物理学会
语种	中文
文献类型	会议论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70115
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李勇,高薇,苏会和,等. 电子背散射衍射技术对疲劳铜单晶中的不同位错结构的取向变化的分析[C]. 北京:电子显微学报编辑部,2003.