| TiN/MgO(001)界面结构研究 | |
| 陈东; 马秀良 | |
| 2004-08-20 | |
| 会议名称 | 第十三届全国电子显微学会议 |
| 会议录名称 | 电子显微学报/2004.4 |
| 会议日期 | 2004-08-20 |
| 会议地点 | 威海 |
| 出版地 | 北京 |
| 出版者 | 《电子显微学报》编辑部 |
| 摘要 | 界面结构对功能薄膜材料的性能起着至关重要的作用.由于界面结合涉及大量原子以及界面间作用的复杂性,因此对薄膜材料的研究不仅要注重其显微结构和界面原子像,而且还要关注其界面的电子结构和性质.TiN薄膜具有诸如高熔点、超硬度、良好的电、热传导性等诱人的特性,是一种很有潜在应用价值的功能材料.本文通过JEOL2010高分辨电子显微镜和第一原理平面波赝势方法,分别对以外延生长TiN/MgO界面的显微结构和电子结构进行了研究. |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家实验室(辽宁沈阳) |
| 关键词 | 界面结构 薄膜材料 Tin薄膜 电子显微镜 外延生长 显微结构 |
| 主办者 | 中国物理学会 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70229 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈东,马秀良. TiN/MgO(001)界面结构研究[C]. 北京:《电子显微学报》编辑部,2004. |
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