| 关于透明导电ITO薄膜的电学极值问题的研究 | |
| 陈猛; 王曦; 孙超; 黄荣芳; 闻立时 | |
| 2000-03-01 | |
| 会议名称 | 上海市真空学会第七届学术年会 |
| 会议录名称 | 上海市真空学会第七届学术年会论文集 |
| 会议日期 | 2000-03-01 |
| 会议地点 | 上海 |
| 摘要 | 基于有效质量的载流子浓度修正计算了电离杂质散射对ITO薄膜电学极限的贡献.研究表明,修正后的电离杂质散射机制界定了ITO薄膜载流子迁移率的上限和电阻率的下限. |
| 部门归属 | 中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室,上海,200050;中国科学院金属研究所,沈阳,110015; |
| 关键词 | 电离杂质散射 Ito薄膜 电学极值 |
| 主办者 | 中国真空学会;上海市真空学会 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70342 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈猛,王曦,孙超,等. 关于透明导电ITO薄膜的电学极值问题的研究[C],2000. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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