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CVD SiC纤维中游离Si的Raman光谱分析
金保宏; 石南林
2006-07
会议名称第十四届全国分子光谱学学术会议
会议录名称光谱学与光谱分析
会议日期2006-07
会议地点长春
摘要文章利用拉曼光谱对SiC纤维的微观结构作了分析,研究发现,在SiC纤维的拉曼谱线中出现了游离Si的散射峰,这证实了CVDSiC纤维中含有游离硅.根据游离Si的拉曼散射峰的特性和频移,分析了游离Si在纤维中的分布、晶化度、晶粒大小等状况.结果表明,纤维中的游离Si有晶态和非晶态两相,其晶化度由纤维内层至表面呈逐渐增大的趋势,在纤维表面,Si晶体结晶完好,晶粒度最大.
部门归属中国科学院金属研究所,辽宁,沈阳,110016
关键词拉曼光谱 碳化硅纤维 游离硅 微观结构 拉曼散射峰
主办者中国化学会;中国光学学会
语种中文
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70437
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
金保宏,石南林. CVD SiC纤维中游离Si的Raman光谱分析[C],2006.
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