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IMR OpenIR  > 中国科学院金属研究所  > 会议论文

题名: Y掺杂BaTO3中异常长大机理的TEM研究
作者: 郑士建;  艾延龄;  马秀良
出版日期: 2006-8-26
会议日期: 2006-08-26
摘要: BaTiO3是一种重要的电子陶瓷.经过少量Y掺杂的BaTiO3具有正的温度电阻系数(PTCR),可以用作热敏器件.经研究证实PTCR效应只出现在大晶粒中,但异常长大在BaTiO3基陶瓷中是一种常见的现象,而且异常长大的晶粒会抑制基体晶粒的生长.所以有必要对BaTiO3中异常长大方式进行研究,以获得均匀的晶粒尺度.Park等人认为BaTiO3以二维形核的方式长大,其长大速度受界面反应控制.本文通过高分辨透射电子显微镜对异常长大晶界进行研究,通过直接观察证实了上述长大机理。
会议名称: 2006年全国电子显微学会议
KOS主题词: Electron microscopes
会议文集: 电子显微学报
Appears in Collections:中国科学院金属研究所_会议论文

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郑士建,艾延龄,马秀良. Y掺杂bato3中异常长大机理的tem研究[C]. 电子显微学报.2006.
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