IMR OpenIR
Y掺杂BaTO3中异常长大机理的TEM研究
郑士建; 艾延龄; 马秀良
2006-08-26
Conference Name2006年全国电子显微学会议
Source Publication电子显微学报
Conference Date2006-08-26
Conference Place沈阳
AbstractBaTiO3是一种重要的电子陶瓷.经过少量Y掺杂的BaTiO3具有正的温度电阻系数(PTCR),可以用作热敏器件.经研究证实PTCR效应只出现在大晶粒中,但异常长大在BaTiO3基陶瓷中是一种常见的现象,而且异常长大的晶粒会抑制基体晶粒的生长.所以有必要对BaTiO3中异常长大方式进行研究,以获得均匀的晶粒尺度.Park等人认为BaTiO3以二维形核的方式长大,其长大速度受界面反应控制.本文通过高分辨透射电子显微镜对异常长大晶界进行研究,通过直接观察证实了上述长大机理。
description.department中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,辽宁,沈阳,110016
KeywordBato3 电子陶瓷 异常长大 电子显微镜 Ptcr效应
Funding Organization中国物理学会
Language中文
Document Type会议论文
Identifierhttp://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70522
Collection中国科学院金属研究所
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GB/T 7714
郑士建,艾延龄,马秀良. Y掺杂BaTO3中异常长大机理的TEM研究[C],2006.
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