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题名: AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征
作者: 闫鹏飞;  隋曼龄
出版日期: 2008-11-30
会议日期: 2008-11-30
摘要: 对用化学气相沉积法(MOCVD)在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长的紫外光发光二极管(UV-LED)圆晶片进行了透射电子显微镜(TEM)观察研究。发现在外延膜的表面交错存在着一种宽约300-700 nm,长达数十微米以上的带状缺陷。这种缺陷存在于AlGaN/InGaN组成的多层量子阱区,它还能作为位错发射源在(0001)面和{11-22}面上产生大量的位错环。对材料的发光性能造成严重影响。根据位错滑移和多层膜的成分来看,这种缺陷是由于拉应力引起的。
会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
会议文集: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
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闫鹏飞,隋曼龄. Algan/ingan异质结中一种新缺陷的tem表征[C]. 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集.2008.
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