IMR OpenIR
AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征
闫鹏飞; 隋曼龄
2008-11-30
Conference Name第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
Source Publication第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
Conference Date2008-11-30
Conference Place广州
Abstract对用化学气相沉积法(MOCVD)在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长的紫外光发光二极管(UV-LED)圆晶片进行了透射电子显微镜(TEM)观察研究。发现在外延膜的表面交错存在着一种宽约300-700 nm,长达数十微米以上的带状缺陷。这种缺陷存在于AlGaN/InGaN组成的多层量子阱区,它还能作为位错发射源在(0001)面和{11-22}面上产生大量的位错环。对材料的发光性能造成严重影响。根据位错滑移和多层膜的成分来看,这种缺陷是由于拉应力引起的。
description.department中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,沈阳 110016
Keyword氮化镓异质结 化学气相沉积法 蓝宝石衬底 紫外光发光二极管 位错滑移 带状缺陷 发光性能
Funding Organization中国电子学会;广州市科协
Language中文
Document Type会议论文
Identifierhttp://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70785
Collection中国科学院金属研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
闫鹏飞,隋曼龄. AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征[C],2008.
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[闫鹏飞]'s Articles
[隋曼龄]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[闫鹏飞]'s Articles
[隋曼龄]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[闫鹏飞]'s Articles
[隋曼龄]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.