Advanced   Register
IMR OpenIR  > 中国科学院金属研究所  > 期刊论文

题名: 电流密度对直流电解沉积纳米孪晶Cu微观结构的影响
作者: 金帅;  潘庆松;  卢磊
发表日期: 2013-5-11
摘要: 采用直流电解沉积技术,制备出具有高密度择优取向的纳米孪晶结构块体Cu样品.样品由微米级柱状晶粒构成,晶粒内有高密度的平行于生长基面的共格孪晶界面.研究发现,电流密度对于纳米孪晶Cu的晶粒尺寸有明显影响,但对其织构和孪晶片层厚度影响不大.当电流密度从10 mA/cm~2增加到30 mA/cm~2,纳米孪晶Cu的平均晶粒尺寸从10.1μm减小到4.2um,孪晶片层厚度为30-50 nm.其原因是随电流密度的增加,阴极的过电位增大,从而使晶粒细化.
刊名: 金属学报
Appears in Collections:中国科学院金属研究所_期刊论文

Files in This Item:

There are no files associated with this item.




Recommended Citation:
金帅,潘庆松,卢磊. 电流密度对直流电解沉积纳米孪晶cu微观结构的影响[J]. 金属学报,2013(5):635-640.
Service
 Recommend this item
 Sava as my favorate item
 Show this item's statistics
 Export Endnote File
Google Scholar
 Similar articles in Google Scholar
 [金帅]'s Articles
 [潘庆松]'s Articles
 [卢磊]'s Articles
CSDL cross search
 Similar articles in CSDL Cross Search
 [金帅]‘s Articles
 [潘庆松]‘s Articles
 [卢磊]‘s Articles
Scirus search
 Similar articles in Scirus
Related Copyright Policies
Null
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论
 
评注功能仅针对注册用户开放,请您登录
您对该条目有什么异议,请填写以下表单,管理员会尽快联系您。
内 容:
Email:  *
单位:
验证码:   刷新
您在IR的使用过程中有什么好的想法或者建议可以反馈给我们。
标 题:
 *
内 容:
Email:  *
验证码:   刷新

Items in IR are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

 

Valid XHTML 1.0!
Copyright © 2007-2017  中国科学院金属研究所  -Feedback
Powered by CSpace