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题名: 放电气体对ECR-PECVD法制备微晶硅薄膜的影响
作者: 程华;  钱永产;  薛军;  吴爱民;  石南林
发表日期: 2013-6-25
摘要: 用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法制备微晶硅薄膜,研究了放电气体对薄膜沉积速率、薄膜中H含量、择优取向和结晶度的影响。结果表明,以Ar作为放电气体时薄膜沉积速率比以H2作为放电气体时高1.5—2倍,但是薄膜的结晶度较低;以Ar作为放电气体时薄膜的H含量比以H2作为放电气体时的薄膜低;放电气体对薄膜的择优取向和晶粒度没有显著的影响。
刊名: 材料研究学报
Appears in Collections:中国科学院金属研究所_期刊论文

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程华,钱永产,薛军,等. 放电气体对ecr-pecvd法制备微晶硅薄膜的影响[J]. 材料研究学报,2013(3):307-311.
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