Advanced   Register
IMR OpenIR  > 中国科学院金属研究所  > 会议论文

题名: 元素掺杂对Bi电迁移影响的第一原理计算
作者: 庞学永;  刘志权;  王绍青等
出版日期: 2010
会议日期: 2010
摘要: 本工作应用第一原理方法研究了如何通过添加掺杂元素抑制SnBi焊料中的Bi的电迁移问题。在 SnBi体系中掺杂Zn和Sb元素,通过用NEB方法计算了掺杂体系中Bi元素的扩散能垒。加入Sb之后,Bi的扩散能垒由原来的0.32eV升高到了0.46eV,扩散激活能由原来的1.14eV升高到了1.18eV。加入Zn之后,Bi的扩散能垒由原来的0.32eV升高到了0.48eV,扩散激活能由原来的1.14eV升高到了1.22eV。由此可得,Zn和Sb的加入都能够升高Bi的扩散激活能,起到抑制扩散的作用。通过分析态密度可知,Zn和Sb加入后,体系中Sb与Bi的p态曲线几乎完全重合,要比Sn与Bi的p态曲线重合度高很多,表明Sb和Bi的共价键作用很强,且比Sn-Bi的共价键作用强,从而增加了Bi的扩散能垒。分析Zn和Bi的态密度曲线可知,同样Zn和Bi的p态曲线重合度也要比Sn和Bi的曲线重合度高很多,表明Zn-Bi的共价键同样要比Sn-Bi的共价键强,所以Zn的加入同样增加了Bi的扩散能垒。总结说来,Sb和Zn的掺杂能够抑制SnBi焊料中的Bi的电迁移。
会议名称: 2010中国材料研讨会
会议文集: 2010中国材料研讨会论文集
Appears in Collections:中国科学院金属研究所_会议论文

Files in This Item:

There are no files associated with this item.




Recommended Citation:
庞学永,刘志权,王绍青等. 元素掺杂对bi电迁移影响的第一原理计算[C]. 2010中国材料研讨会论文集.2010,1-11.
Service
 Recommend this item
 Sava as my favorate item
 Show this item's statistics
 Export Endnote File
Google Scholar
 Similar articles in Google Scholar
 [庞学永]'s Articles
 [刘志权]'s Articles
 [王绍青等]'s Articles
CSDL cross search
 Similar articles in CSDL Cross Search
 [庞学永]‘s Articles
 [刘志权]‘s Articles
 [王绍青等]‘s Articles
Scirus search
 Similar articles in Scirus
Related Copyright Policies
Null
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论
 
评注功能仅针对注册用户开放,请您登录
您对该条目有什么异议,请填写以下表单,管理员会尽快联系您。
内 容:
Email:  *
单位:
验证码:   刷新
您在IR的使用过程中有什么好的想法或者建议可以反馈给我们。
标 题:
 *
内 容:
Email:  *
验证码:   刷新

Items in IR are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

 

Valid XHTML 1.0!
Copyright © 2007-2016  中国科学院金属研究所  -Feedback
Powered by CSpace