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IMR OpenIR  > 中国科学院金属研究所  > 期刊论文

题名: 芯片级封装互连体在电流作用下的损伤行为
作者: 郑凯;  刘春忠;  刘志权
发表日期: 2013-10-25
摘要: 随着电子封装互连焊点尺寸的不断减小,其电流密度越来越大,产生大量的焦耳热,焊点在服役中受到热场和电场共同作用,导致焊点的熔断失效。本文在常温环境和低温环境下分别加载1.0 A恒定电流的作用下,分析了CSP(Chip Size Package,即芯片级封装)样品的失效过程以及在不同服役条件下的Sn-3.8Ag-0.7Cu微焊球横截面的组织变化。得出互连体的失效行为分为三个阶段,并观察到互连焊点的界面处化合物Cu6Sn5在PCB(Printed circuit board,即印刷电路板)端界面处的生长和芯片端UBM(Under Ball Metal,即凸点下金属层)层Cu的消耗,同时得到降低其环境温度抑制CSP样品失效的结论。
刊名: 沈阳航空航天大学学报
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郑凯,刘春忠,刘志权. 芯片级封装互连体在电流作用下的损伤行为[J]. 沈阳航空航天大学学报,2013(5):54-59.
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