| 气相刻蚀选择性制备单一导电属性单壁碳纳米管 |
| 侯鹏翔; 刘畅; 成会明
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| 2014-11-30
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| 发表期刊 | 科学通报
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| 期号 | 33页码:3280-3292 |
| 摘要 | 单一导电属性单壁碳纳米管的控制制备是目前碳纳米管研究领域的重点和难点,也是制约其在微纳电子器件中应用的瓶颈.近年来,研究者致力于发展获得单一导电属性单壁碳纳米管的方法,并取得了较大进展.其中,气相选择性刻蚀方法因具有工艺简单、效果显著、易规模化等特点而备受关注.本文简要介绍了气相选择性刻蚀方法制备单一导电属性碳纳米管的原理及特点,并综述近年来原位生长-刻蚀制备研究所取得的主要进展,最后展望其发展趋势. |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,沈阳材料科学国家(联合)实验室
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| 关键词 | 单壁碳纳米管
金属性
半导体性
气相刻蚀
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| 语种 | 中文
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/73532
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
侯鹏翔,刘畅,成会明. 气相刻蚀选择性制备单一导电属性单壁碳纳米管[J]. 科学通报,2014(33):3280-3292.
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| APA |
侯鹏翔,刘畅,&成会明.(2014).气相刻蚀选择性制备单一导电属性单壁碳纳米管.科学通报(33),3280-3292.
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| MLA |
侯鹏翔,et al."气相刻蚀选择性制备单一导电属性单壁碳纳米管".科学通报 .33(2014):3280-3292.
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