偏压对直流磁控溅射制备的AlB2-type WB2薄膜结构和性能的影响

IMR OpenIR

	偏压对直流磁控溅射制备的AlB2-type WB2薄膜结构和性能的影响
	刘艳明; 蒋春磊; 裴志亮; 雷浩; 宫骏; 孙超
	2014
会议名称	第十届全国表面工程大会暨第六届全国青年表面工程论坛
页码	6
会议日期	2014
会议地点	中国湖北武汉
摘要	本文采用YG8(WC-Co)硬质合金为基体,用直流磁控溅射的方法制备了不同偏压下的AlB2-type WB2硬质薄膜。采用X射线衍射(XRD),电子探针(EPMA),场发射扫描电镜(FESEM),原子力显微镜(AFM),纳米压痕仪,球盘式磨擦仪及划痕仪等,研究了偏压对薄膜的组织、元素组成及力学和摩擦学性能的影响。结果显示,沉积的薄膜均呈现出富W的低化学计量比,并具有明显的柱状结构。随着偏压的增加,薄膜的B/W原子比降低,柱子尺寸明显增加,晶粒尺寸先增加后降低,且择优取向从(001)转变为(101),这些因素均导致薄膜的性能有所降低。而沉积速率也随着偏压增加先增加后降低,并在-100 V偏压下取得峰值。综合评价,-50V偏压下沉积的薄膜呈现出最优异的性能,具有最高的硬度35.9 GPa,最强的膜基结合力50N,较低的摩擦系数0.36和最低的磨损率2.3×10-7 mm3/mN。
部门归属	中国科学院金属研究所
关键词	Alb2-type Wb2薄膜直流磁控溅射硬度摩擦磨损结合力
主办者	中国机械工程学会表面工程分会、中国表面工程协会
语种	中文
文献类型	会议论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/73725
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘艳明,蒋春磊,裴志亮,等. 偏压对直流磁控溅射制备的AlB2-type WB2薄膜结构和性能的影响[C],2014:6.