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题名: 外延生长的Gd掺杂CeO_2薄膜内位错的透射电子显微学表征
作者: 宋克鹏;  杜奎;  叶恒强
发表日期: 2015-2-15
摘要: 利用脉冲激光沉积(pulsed laser depositon,PLD)方法在YSZ(Y2O3stabilised zirconia)单晶衬底上外延生长了Gd掺杂的CeO2薄膜(gadolinium doped CeO2,GDC)。利用透射电子显微镜(TEM)对GDC/YSZ界面以及GDC薄膜内部的位错结构进行了表征。实验发现,界面处存在周期性分布的失配位错,界面失配主要通过失配位错释放。GDC薄膜内部存在两种不同的位错,其中一种为纯刃型位错,另外一种为混合型位错。
刊名: 电子显微学报
Appears in Collections:中国科学院金属研究所_期刊论文

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宋克鹏,杜奎,叶恒强. 外延生长的gd掺杂ceo_2薄膜内位错的透射电子显微学表征[J]. 电子显微学报,2015(1):14-17.
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