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外延生长的Gd掺杂CeO_2薄膜内位错的透射电子显微学表征
宋克鹏; 杜奎; 叶恒强
2015-02-15
Source Publication电子显微学报
Issue1Pages:14-17
Abstract利用脉冲激光沉积(pulsed laser depositon,PLD)方法在YSZ(Y2O3stabilised zirconia)单晶衬底上外延生长了Gd掺杂的CeO2薄膜(gadolinium doped CeO2,GDC)。利用透射电子显微镜(TEM)对GDC/YSZ界面以及GDC薄膜内部的位错结构进行了表征。实验发现,界面处存在周期性分布的失配位错,界面失配主要通过失配位错释放。GDC薄膜内部存在两种不同的位错,其中一种为纯刃型位错,另外一种为混合型位错。
description.department中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室
Keyword固体氧化物燃料电池 外延生长 Gdc 位错 高分辨透射电子显微像
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.imr.ac.cn/handle/321006/74107
Collection中国科学院金属研究所
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GB/T 7714
宋克鹏,杜奎,叶恒强. 外延生长的Gd掺杂CeO_2薄膜内位错的透射电子显微学表征[J]. 电子显微学报,2015(1):14-17.
APA 宋克鹏,杜奎,&叶恒强.(2015).外延生长的Gd掺杂CeO_2薄膜内位错的透射电子显微学表征.电子显微学报(1),14-17.
MLA 宋克鹏,et al."外延生长的Gd掺杂CeO_2薄膜内位错的透射电子显微学表征".电子显微学报 .1(2015):14-17.
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