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题名: 掺杂TiO_2对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响
作者: 于晓华;  荣菊;  詹肇麟;  王远
发表日期: 2015-3-25
摘要: 以ZnO粉末为主要原料,以TiO2、Bi2O3、MnO2、Co2O3、Sb2O3为组元,在常规电子陶瓷生产工艺下制备低压化ZnO压敏陶瓷。将掺杂TiO2的陶瓷片与未掺杂TiO2的陶瓷片进行对比分析,确定最佳掺杂量。采用能谱仪分析瓷片的微区成分,采用SEM观察瓷片断口形貌,利用压敏电阻直流参数仪测量瓷片的电学性能。研究结果表明,瓷片内部主要存在富Bi晶界、Bi贫化晶界和晶粒直接接触晶界;TiO2对ZnO晶粒有助长作用,不掺杂纳米TiO2陶瓷是11.4μm,掺杂纳米TiO2高达30.5μm;当TiO2掺杂量为1.5%mol时瓷片电学性能较优,即压敏电压为31.2 V/mm、漏电流为0.028 m A及为非线性系数为20.1。
刊名: 材料热处理学报
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于晓华,荣菊,詹肇麟,等. 掺杂tio_2对zno压敏陶瓷电学性能的影响[J]. 材料热处理学报,2015(3):31-34.
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