| 射频反应溅射制备MgO二次电子发射薄膜 |
| 王彬; 熊良银; 刘实
|
| 2016-01-11
|
| 发表期刊 | 金属学报
 |
| 期号 | 1 |
| 摘要 | 采用氧化激活AgMg合金在表面形成MgO薄膜,以及采用射频反应溅射沉积法在不锈钢基片上分别制备了MgO薄膜和掺杂CoO的MgO薄膜,研究了制备工艺对薄膜二次电子发射系数及耐电子束轰击能力的影响.结果表明,薄膜厚度对其耐电子束轰击能力有显著影响,随着薄膜厚度的增加,耐电子束轰击能力明显增强,而射频反应溅射沉积可通过调整镀膜时间获得不同厚度的MgO薄膜.射频反应溅射的氧分压比对MgO薄膜表面质量有较大影响,随着沉积过程中氧分压比增大,MgO薄膜表面粗糙度增大,不利于二次电子发射.CoO掺杂改善了MgO薄膜表面质量,使其表面更加平整、光滑,提高了薄膜的二次电子发射系数,而且降低了薄膜表面质量对氧分压... |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所
; 中国科学院金属研究所核用材料与安全评价重点实验室
|
| 关键词 | 射频反应溅射沉积
薄膜厚度
表面粗糙度
二次电子发射系数
耐电子束轰击能力
|
| 语种 | 中文
|
| 文献类型 | 期刊论文
|
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/74475
|
| 专题 | 中国科学院金属研究所
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
王彬,熊良银,刘实. 射频反应溅射制备MgO二次电子发射薄膜[J]. 金属学报,2016(1).
|
| APA |
王彬,熊良银,&刘实.(2016).射频反应溅射制备MgO二次电子发射薄膜.金属学报(1).
|
| MLA |
王彬,et al."射频反应溅射制备MgO二次电子发射薄膜".金属学报 .1(2016).
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论