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题名: MPCVD制备SiC薄膜及其在重金属离子痕量检测方面的研究
作者: 王春;  黄楠;  庄昊;  杨兵;  田清泉;  郭宇宁;  刘鲁生;  姜辛
出版日期: 2015-8-21
摘要: 宽禁带半导体碳化硅(SiC)薄膜因其高热导率、高电子迁移率和高饱和电子漂移速度等优异性质而受到广泛关注。同时,其稳定的化学性质和宽的电化学势窗也使SiC薄膜可以用作电化学电极材料。本文利用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在硅基体上制备SiC薄膜,通过改变功率和工作气压,SiC薄膜由纳米晶向异质外延结构转变。XRD和拉曼结果表明:SiC薄膜的外延质量随功率增加而提高。随着我国环境问题越来越严重,水体污染特别是重金属离子污染也越来越受到人们的重视。饮用水标准中重金属离子的允许值大多在几个ppb到几个ppm之间,而在现有的测试方法中,阳极溶出伏安法因其操作简单、响应快速而受到广泛关注。本文采...
会议文集: TFC'15全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集
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王春,黄楠,庄昊,等. Mpcvd制备sic薄膜及其在重金属离子痕量检测方面的研究[C]. Tfc'15全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2015.
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