| MPCVD制备SiC薄膜及其在重金属离子痕量检测方面的研究 |
| 王春; 黄楠; 庄昊; 杨兵; 田清泉; 郭宇宁; 刘鲁生; 姜辛
|
| 2015-08-21
|
| 会议录名称 | TFC'15全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集
|
| 摘要 | 宽禁带半导体碳化硅(SiC)薄膜因其高热导率、高电子迁移率和高饱和电子漂移速度等优异性质而受到广泛关注。同时,其稳定的化学性质和宽的电化学势窗也使SiC薄膜可以用作电化学电极材料。本文利用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在硅基体上制备SiC薄膜,通过改变功率和工作气压,SiC薄膜由纳米晶向异质外延结构转变。XRD和拉曼结果表明:SiC薄膜的外延质量随功率增加而提高。随着我国环境问题越来越严重,水体污染特别是重金属离子污染也越来越受到人们的重视。饮用水标准中重金属离子的允许值大多在几个ppb到几个ppm之间,而在现有的测试方法中,阳极溶出伏安法因其操作简单、响应快速而受到广泛关注。本文采... |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所
; 沈阳材料国家(联合)实验室功能薄膜与界面研究部
; 德国锡根大学表面技术与材料工程研究所
|
| 关键词 | Mpcvd
Sic薄膜
重金属离子检测
|
| 文献类型 | 会议论文
|
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/74540
|
| 专题 | 中国科学院金属研究所
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
王春,黄楠,庄昊,等. MPCVD制备SiC薄膜及其在重金属离子痕量检测方面的研究[C],2015.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论