P在IN706合金中的晶界偏聚与析出规律 | |
章莎; 信昕; 孙文儒; 孙晓峰 | |
2015-05-20 | |
会议录名称 | 第十三届中国高温合金年会摘要文集 |
摘要 | 研究了P含量为0.002~40.025%(质量分数)的6种IN706合金均匀化组织中P的晶界偏聚及析出规律。结果表明:合金经1190℃均匀化后,P偏聚于晶界,合金中不析出含P相;在7200~1080℃保温5h保温后,含P相在0.010%P及以上P含量合金的晶界析出,其析出温度范围为850~1010℃,析出峰温度为98℃。此外,运用TEM确定了含P相的结构。 |
部门归属 | 中国科学院金属研究所 |
关键词 | In706 匀化 析出规律 真空感应炉熔炼 温度范围 原子态 重熔 均匀化处理 Sims 实验条件 |
文献类型 | 会议论文 |
条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/74543 |
专题 | 中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 章莎,信昕,孙文儒,等. P在IN706合金中的晶界偏聚与析出规律[C],2015. |
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