| 半导体纳米材料的晶体结构缺陷与阴极射线荧光性能研究 | |
| 刘宝丹; 刘青云; 杨兵; 姜辛 | |
| 2015-08-11 | |
| 会议录名称 | 第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集 |
| 摘要 | 以GaN为代表的宽禁带半导体纳米材料在纳米光学、纳米电子学、纳米光电子学领域具有潜在应用价值。[1-5]半导体纳米材料的尺寸、成分、结晶度、生长取向及晶体结构缺陷与光电性能之间关系密切,尤其是晶体结构缺陷对其发光性能影响显著。与宏观块体材料相比,尺寸在数百纳米范围内的纳米材料的晶体结构缺陷主要表现为位错、层错、孪晶等。这些晶体结构缺陷不仅影响半导体材料的本征带隙发光,而且还影响到缺陷发光的强度和峰位。因此,建立半导体纳米材料的晶体结构缺陷与发光性能之间的相互关系对于理解半导体纳米材料的发光机制和光电器件搭建具有重要的指导意义。在本报告中,我们将主要介绍利用高分辨透射电镜和阴极射线荧光技术研究几... |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所 |
| 关键词 | 半导体 纳米材料 结构缺陷 光学性能 |
| 文献类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/74547 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘宝丹,刘青云,杨兵,等. 半导体纳米材料的晶体结构缺陷与阴极射线荧光性能研究[C],2015. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [刘宝丹]的文章 |
| [刘青云]的文章 |
| [杨兵]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [刘宝丹]的文章 |
| [刘青云]的文章 |
| [杨兵]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [刘宝丹]的文章 |
| [刘青云]的文章 |
| [杨兵]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论