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外加电场对单晶高温合金生长取向偏离的影响
冯小辉; 李应举; 杨院生
2015-05-20
Source Publication第十三届中国高温合金年会摘要文集
Abstract研究了外加直流电场对镍基单晶高温合金生长取向偏离的影响。在直流电场作用下,不同初始取向偏离的样品其取向偏离角得到程度不同的减小。当初始取向偏离角为3°时,电场对单晶生长取向偏离无明显影响;当单晶初始取向偏离角为9°~16°时,施加电场可显著减小取向偏离,偏离角可减小44%~38%。施加电场能够减少取向偏离的原因在于单晶生长界面前沿的焦耳热和溶质原子电迁移所致。
description.department中国科学院金属研究所
Keyword直流电场 生长取向 单晶高温合金 单晶生长 溶质原子 生长界面 焦耳热 电迁移 籽晶 晶体生长
Document Type会议论文
Identifierhttp://ir.imr.ac.cn/handle/321006/74571
Collection中国科学院金属研究所
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GB/T 7714
冯小辉,李应举,杨院生. 外加电场对单晶高温合金生长取向偏离的影响[C],2015.
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