| 一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法 | |
| 姜辛,刘宝丹 | |
| 2016-03-16 | |
| 专利权人 | 姜辛，刘宝丹 |
| 公开日期 | 2016-03-16 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所 |
| 申请日期 | 2012-07-06 |
| 语种 | 中文 |
| 申请号 | 201210234053.0 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/78740 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜辛,刘宝丹. 一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法[P]. 2016-03-16. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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