中国科学院金属研究所机构知识库(IMR OpenIR): 一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法

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IMR OpenIR > 中国科学院金属研究所 > 专利

专利名称:	一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法
发明人:	姜辛，刘宝丹
公开（公告）日:	2016-3-16
摘要:	一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法
Appears in Collections:	中国科学院金属研究所_专利

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姜辛，刘宝丹. 一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法. 2016.

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