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窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法
刘畅、赵石永、侯鹏翔、成会明
2016-08-17
专利权人刘畅、赵石永、侯鹏翔、成会明
公开日期2016-08-17
授权国家中国
专利类型发明
摘要窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法
部门归属中国科学院金属研究所
申请日期2014-09-01
语种中文
申请号201410441540.3
文献类型专利
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/78812
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘畅、赵石永、侯鹏翔、成会明. 窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法[P]. 2016-08-17.
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